GaAs（砷化鎵）等化合物半導體用于高頻器件。使用現有的金剛石刀片對化合物半導體進行刀片切割時，進給速度慢，難以獲得高生產率。隨著高度集成化的趨勢，基于SiP（System in Package）等技術的高強度薄芯片制造技術已成為必要。然而，使用刀片切割，隨著晶片厚度變薄，切割難度增加。

應用于高速邏輯元器件絕緣膜的Low-k膜，因其機械強度低，若使用普通的刀片進行切割加工，會發生Low-k膜剝落的風險。這種通過激光去除Low-k膜以及相應配線層的加工，就是激光開槽工藝。

隱形切割是將激光聚光于工件內部，在工件內部形成改質層，通過擴展膠膜等方法將工件分割成芯片的切割方法。