激光全切切割

GaAs（砷化鎵）等化合物半導體用于高頻器件。使用現有的金剛石刀片對化合物半導體進行刀片切割時，進給速度慢，難以獲得高生產率。

隨著高度集成化的趨勢，基于SiP（System in Package）等技術的高強度薄芯片制造技術已成為必要。然而，使用刀片切割，隨著晶片厚度變薄，切割難度增加。

針對此類問題，DISCO對DFL7161激光鋸的激光頭和光學系統進行了優化，建立了激光全切割應用。

應用

該過程包括將激光饋送到減薄晶片（小于 200 μm）的正面（圖案側）一次，或多次照射晶片直至切割膠帶。激光全切割可以提高產量，因為可以提高進給速度。

GaAs 化合物半導體的薄晶片切割

在切割過程中，由于材料非常脆，GaAs 晶片很容易發生破損和開裂。因此，難以使用現有的刀片切割來提高進給速度。使用激光全切割切割，可以以比刀片切割快十倍的進給速度進行加工，從而提高產量。（這只是一個例子。實際速度取決于要處理的晶圓。）

GaAs 晶圓 SEM 圖像

* 在處理 GaAs 時，需要額外的設備來去除汽化的 As 氣體。

減薄硅片全切劃片

隨著晶圓變得更薄，切割過程中的碎裂和開裂對芯片強度的影響更大。因此，切割難度正在增加，因為需要更好地控制碎裂的工藝。此外，使用芯片貼膜 (DAF) 作為接合材料以堆疊減薄芯片的設備數量正在增加。因此，在控制毛刺的發生的同時，對背面附有 DAF 的晶片進行高質量切割已成為一個問題。

其他激光全切加工實例

背面金屬膜貼附硅片、GaP（磷化鎵）片、InP（磷化銦）片、GaN（氮化鎵）片和Ge（鍺）片。